Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJP18N20_T0_00001
PJP18N20_T0_00001

PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc.

PJx18N20.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TO-220AB, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.83 грн
50+64.74 грн
100+57.87 грн
500+43.00 грн
1000+39.37 грн
2000+36.31 грн
5000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: TO-220AB, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції PJP18N20_T0_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PJP18N20_T0_00001 PJP18N20_T0_00001 Panjit 3E3A1985B4F1832DEA7F9FCE6A52B0F0535B7DE8A29E7272D77AAD0C269CFFBE.pdf MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20-T0-00001 PJP18N20-T0-00001 Panjit PJx18N20-1867544.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 3E3A1985B4F1832DEA7F9FCE6A52B0F0535B7DE8A29E7272D77AAD0C269CFFBE.pdf
PJP18N20_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20-T0-00001 PJx18N20-1867544.pdf
PJP18N20-T0-00001
Виробник: Panjit
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PJx18N20.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.