PJP18N20_T0_00001

PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc.


PJx18N20.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: TO-220AB, MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 8102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
50+65.42 грн
100+58.48 грн
500+43.46 грн
1000+39.78 грн
2000+36.69 грн
5000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: TO-220AB, MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJP18N20_T0_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJP18N20_T0_00001 PJP18N20_T0_00001 Виробник : Panjit PJx18N20-1867544.pdf MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20-T0-00001 PJP18N20-T0-00001 Виробник : Panjit PJx18N20-1867544.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.