Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJP18N20_T0_00001
PJP18N20_T0_00001

PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc.

PJx18N20.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TO-220AB, MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.30 грн
50+63.56 грн
100+56.82 грн
500+42.22 грн
1000+38.65 грн
2000+35.65 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: TO-220AB, MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJP18N20_T0_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJP18N20_T0_00001 PJP18N20_T0_00001 Panjit 3E3A1985B4F1832DEA7F9FCE6A52B0F0535B7DE8A29E7272D77AAD0C269CFFBE.pdf MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20-T0-00001 PJP18N20-T0-00001 Panjit PJx18N20-1867544.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PJP18N20_T0_00001 PanJit PJx18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 3E3A1985B4F1832DEA7F9FCE6A52B0F0535B7DE8A29E7272D77AAD0C269CFFBE.pdf
PJP18N20_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20-T0-00001 PJx18N20-1867544.pdf
PJP18N20-T0-00001
Виробник: Panjit
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001 PJx18N20.pdf
PJP18N20_T0_00001
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.