PJP4NA50A_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJP4NA50A_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: 500V N-CHANNEL MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції PJP4NA50A_T0_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJP4NA50A_T0_00001 | Panjit |
MOSFETs 500V N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
PJP4NA50A-T0-00001 | Panjit | MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PJP4NA50A_T0_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 500V N-Channel MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.