Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ1916_R1_00201
PJQ1916_R1_00201

PJQ1916_R1_00201 Panjit International Inc.

PJQ1916.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 8976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
21+14.94 грн
100+10.05 грн
500+7.28 грн
1000+6.56 грн
2000+5.94 грн
5000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ1916_R1_00201 Panjit International Inc.

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJQ1916_R1_00201 за ціною від 5.08 грн до 33.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ1916_R1_00201 PJQ1916_R1_00201 Виробник : Panjit PNJI_S_A0010991292_1-2576244.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
14+25.04 грн
100+13.54 грн
1000+7.14 грн
2500+6.40 грн
10000+5.52 грн
20000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ1916_R1_00201 PJQ1916_R1_00201 Виробник : Panjit International Inc. PJQ1916.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.