Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ2407_R1_00001
PJQ2407_R1_00001

PJQ2407_R1_00001 Panjit International Inc.

PJQ2407.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.09 грн
6000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ2407_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: DFN2020B-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJQ2407_R1_00001 за ціною від 13.63 грн до 55.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJQ2407_R1_00001 PJQ2407_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2407.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+32.91 грн
100+21.18 грн
500+15.16 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2407_R1_00001 PJQ2407_R1_00001 Panjit PJQ2407-1867694.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2407_R1_00001 PJQ2407.pdf
PJQ2407_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.42 грн
10+32.91 грн
100+21.18 грн
500+15.16 грн
1000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2407_R1_00001 PJQ2407-1867694.pdf
PJQ2407_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.