PJQ2409_R1_00001

PJQ2409_R1_00001 Panjit International Inc.


PJQ2409.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.99 грн
12+26.82 грн
100+16.05 грн
500+13.95 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ2409_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: DFN2020B-6L, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: DFN2020B-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJQ2409_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ2409_R1_00001 PJQ2409_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJQ2409.pdf Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2409_R1_00001 PJQ2409_R1_00001 Виробник : Panjit PJQ2409-1867695.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.