PJQ2815_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ2815_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020-6L, Part Status: Active.
Інші пропозиції PJQ2815_R1_00001 за ціною від 17.48 грн до 45.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJQ2815_R1_00001 | Panjit International Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020-6L Part Status: Active |
на замовлення 7770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PJQ2815_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active
на замовлення 7770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.31 грн |
| 10+ | 37.79 грн |
| 100+ | 26.20 грн |
| 500+ | 20.54 грн |
| 1000+ | 17.48 грн |