Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ4401P-AU_R2_000A1
PJQ4401P-AU_R2_000A1

PJQ4401P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

PJQ4401P-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.75 грн
10+50.07 грн
100+38.38 грн
500+28.48 грн
1000+22.78 грн
2000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4401P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJQ4401P-AU_R2_000A1 за ціною від 20.04 грн до 62.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4401P-AU_R2_000A1 PJQ4401P-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit PJQ4401P-AU-1867697.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.76 грн
10+54.52 грн
100+36.26 грн
500+28.70 грн
1000+22.97 грн
2500+20.84 грн
5000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4401P-AU_R2_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4401P-AU.pdf PJQ4401P-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4401P-AU_R2_000A1 PJQ4401P-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4401P-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.