PJQ4402P-AU_R2_000A1

PJQ4402P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.


PJQ4402P-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.19 грн
10+42.79 грн
100+28.02 грн
500+20.32 грн
1000+18.39 грн
2000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4402P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції PJQ4402P-AU_R2_000A1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4402P-AU_R2_000A1 PJQ4402P-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4402P-AU.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4402P-AU_R2_000A1 PJQ4402P-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit PJQ4402P-AU-1867583.pdf MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS39/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.