PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 19.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ4435EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -41A, Pulsed drain current: -138A, Power dissipation: 13.5W, Case: DFN3333-8, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 12.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJQ4435EP_R2_00201 за ціною від 19.27 грн до 82.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJQ4435EP_R2_00201 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJQ4435EP_R2_00201 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -41A Pulsed drain current: -138A Power dissipation: 13.5W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
PJQ4435EP_R2_00201 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PJQ4435EP-R2-00201 | Виробник : Panjit | MOSFETs |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| PJQ4435EP_R2_00201 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -41A Pulsed drain current: -138A Power dissipation: 13.5W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |