Продукція > PANJIT > PJQ4437EP-AU_R2_002A1
PJQ4437EP-AU_R2_002A1

PJQ4437EP-AU_R2_002A1 Panjit

PJQ4437EP_AU-3239116.pdf
Виробник: Panjit
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.36 грн
10+47.10 грн
100+27.96 грн
500+23.37 грн
1000+19.89 грн
2500+18.85 грн
5000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4437EP-AU_R2_002A1 Panjit

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ4437EP-AU_R2_002A1 за ціною від 17.87 грн до 64.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4437EP-AU_R2_002A1 PJQ4437EP-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4437EP-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.15 грн
10+41.21 грн
100+28.39 грн
500+21.19 грн
1000+19.39 грн
2000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP-AU_R2_002A1 PJQ4437EP-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4437EP-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4437EP-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4437EP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; DFN3333-8
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain current: 41A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.