Продукція > PANJIT > PJQ4439EP-AU_R2_002A1
PJQ4439EP-AU_R2_002A1

PJQ4439EP-AU_R2_002A1 Panjit

PJQ4439EP_AU-3239234.pdf Виробник: Panjit
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.95 грн
10+44.48 грн
100+26.42 грн
500+22.02 грн
1000+18.79 грн
2500+17.76 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4439EP-AU_R2_002A1 Panjit

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ4439EP-AU_R2_002A1 за ціною від 18.66 грн до 79.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4439EP-AU_R2_002A1 PJQ4439EP-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4439EP-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.39 грн
10+47.78 грн
100+31.22 грн
500+22.62 грн
1000+20.47 грн
2000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4439EP-AU_R2_002A1 PJQ4439EP-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4439EP-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.