PJQ4439EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 15.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ4439EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W, Kind of package: reel, Mounting: SMD, Case: DFN3333-8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Pulsed drain current: -90A, Drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 22nC, On-state resistance: 19.1mΩ, Power dissipation: 10W, Gate-source voltage: ±25V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJQ4439EP_R2_00201 за ціною від 15.27 грн до 67.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJQ4439EP_R2_00201 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJQ4439EP_R2_00201 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W Kind of package: reel Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -90A Drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 22nC On-state resistance: 19.1mΩ Power dissipation: 10W Gate-source voltage: ±25V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
PJQ4439EP_R2_00201 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PJQ4439EP_R2_00201 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W Kind of package: reel Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -90A Drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 22nC On-state resistance: 19.1mΩ Power dissipation: 10W Gate-source voltage: ±25V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |