Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ4443P-AU_R2_000A1
PJQ4443P-AU_R2_000A1

PJQ4443P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

PJQ4443P-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+65.13 грн
100+49.96 грн
500+37.06 грн
1000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4443P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJQ4443P-AU_R2_000A1 за ціною від 23.56 грн до 78.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4443P-AU_R2_000A1 PJQ4443P-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit PJQ4443P_AU-1867607.pdf MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.09 грн
10+67.60 грн
100+45.14 грн
500+35.67 грн
1000+28.55 грн
2500+27.82 грн
5000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4443P-AU_R2_000A1 PJQ4443P-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4443P-AU.pdf Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.