PJQ4460AP-AU_R2_000A1

PJQ4460AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.


PJQ4460AP-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
на замовлення 4379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.42 грн
11+28.02 грн
100+19.48 грн
500+14.27 грн
1000+11.60 грн
2000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4460AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4460AP-AU_R2_000A1 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4460AP-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4460AP-AU_R2_000A1 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit PJQ4460AP_AU-1867637.pdf MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.