Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ4463AP-AU_R2_000A1
PJQ4463AP-AU_R2_000A1

PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

PJQ4463AP-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V.

Інші пропозиції PJQ4463AP-AU_R2_000A1 за ціною від 18.79 грн до 67.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4463AP-AU.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.28 грн
10+43.24 грн
100+29.77 грн
500+22.25 грн
1000+20.38 грн
2000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit PJQ4463AP-AU-1867511.pdf MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.