Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ4465AP-AU_R2_000A1
PJQ4465AP-AU_R2_000A1

PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

PJQ4465AP-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.14 грн
10+36.94 грн
100+25.34 грн
500+18.81 грн
1000+17.17 грн
2000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ4465AP-AU_R2_000A1 за ціною від 14.64 грн до 75.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit PJQ4465AP_AU-1867513.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.71 грн
10+46.60 грн
100+26.41 грн
500+20.37 грн
1000+18.11 грн
2500+16.75 грн
5000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4465AP-AU.pdf PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4465AP-AU.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.