Продукція > PANJIT > PJQ4465AP-AU_R2_000A1
PJQ4465AP-AU_R2_000A1

PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Panjit

PJQ4465AP_AU-1867513.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.34 грн
10+44.14 грн
100+25.61 грн
500+20.62 грн
1000+17.17 грн
2500+16.37 грн
5000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Panjit

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ4465AP-AU_R2_000A1 за ціною від 15.35 грн до 55.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4465AP-AU.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.57 грн
10+35.93 грн
100+24.65 грн
500+18.29 грн
1000+16.70 грн
2000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4465AP-AU.pdf PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4465AP-AU.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.