Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ4466AP_R2_00001
PJQ4466AP_R2_00001

PJQ4466AP_R2_00001 Panjit International Inc.

PJQ4466AP.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4466AP_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V.

Інші пропозиції PJQ4466AP_R2_00001 за ціною від 12.69 грн до 55.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4466AP_R2_00001 PJQ4466AP_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4466AP.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.55 грн
10+33.37 грн
100+21.62 грн
500+15.52 грн
1000+13.98 грн
2000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4466AP_R2_00001 PJQ4466AP_R2_00001 Виробник : Panjit PJQ4466AP-1867554.pdf MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.