PJQ4548VP-AU_R2_002A1

PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.


PJQ4548VP-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ4548VP-AU_R2_002A1 за ціною від 16.08 грн до 54.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ4548VP-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.74 грн
10+ 42.97 грн
100+ 29.77 грн
500+ 23.34 грн
1000+ 19.86 грн
2000+ 17.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit PJQ4548VP_AU-3162095.pdf MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.79 грн
10+ 47.36 грн
100+ 28.1 грн
500+ 23.45 грн
1000+ 19.99 грн
2500+ 18.93 грн
5000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4548VP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ4548VP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
товар відсутній