PJQ4576AP-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 29.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ4576AP-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 35A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 21W, Case: DFN3333-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 23nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJQ4576AP-AU_R2_002A1 за ціною від 28.48 грн до 97.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 21W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| PJQ4576AP-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 21W; DFN3333-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 21W Case: DFN3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |