Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ5411_R2_00001
PJQ5411_R2_00001

PJQ5411_R2_00001 Panjit International Inc.

PJQ5411.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5411_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції PJQ5411_R2_00001 за ціною від 12.87 грн до 64.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5411_R2_00001 PJQ5411_R2_00001 Виробник : Panjit PJQ5411-1867556.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.62 грн
10+36.31 грн
100+21.56 грн
500+18.01 грн
1000+15.79 грн
3000+13.35 грн
6000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5411_R2_00001 PJQ5411_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5411.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.93 грн
10+38.87 грн
100+25.32 грн
500+18.28 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5411-R2-00001 PJQ5411-R2-00001 Виробник : Panjit PJQ5411-1867556.pdf MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.