PJQ5411_R2_00001

PJQ5411_R2_00001 Panjit International Inc.


PJQ5411.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5411_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJQ5411_R2_00001 за ціною від 13.80 грн до 58.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5411_R2_00001 PJQ5411_R2_00001 Виробник : Panjit PJQ5411-1867556.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.64 грн
10+38.95 грн
100+23.12 грн
500+19.32 грн
1000+16.93 грн
3000+14.32 грн
6000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5411_R2_00001 PJQ5411_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5411.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V
на замовлення 8108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.10 грн
10+38.46 грн
100+26.37 грн
500+19.56 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5411-R2-00001 PJQ5411-R2-00001 Виробник : Panjit PJQ5411-1867556.pdf MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.