Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ5427_R2_00001
PJQ5427_R2_00001

PJQ5427_R2_00001 Panjit International Inc.


Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.16 грн
10+91.11 грн
100+71.04 грн
500+55.07 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5427_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJQ5427_R2_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJQ5427_R2_00001 PJQ5427_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427-R2-00001 PJQ5427-R2-00001 Panjit PJQ5427-1867517.pdf MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427_R2_00001
PJQ5427_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427-R2-00001 PJQ5427-1867517.pdf
PJQ5427-R2-00001
Виробник: Panjit
MOSFETs DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-30FKMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.