Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ5431E-AU_R2_006A1
PJQ5431E-AU_R2_006A1

PJQ5431E-AU_R2_006A1 Panjit International Inc.

PJQ5431E-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.11 грн
10+57.86 грн
100+38.15 грн
500+27.87 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5431E-AU_R2_006A1 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5431E-AU_R2_006A1 за ціною від 33.06 грн до 142.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5431E-AU_R2_006A1 PJQ5431E-AU_R2_006A1 Виробник : Panjit F92B826F3994B46E2B8008ADCD20C8E8917DDF264C50552091641940C6121030.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.88 грн
10+91.87 грн
100+52.91 грн
500+42.42 грн
1000+38.98 грн
3000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5431E-AU_R2_006A1 PJQ5431E-AU_R2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5431E-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5431E-AU_R2_006A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ5431E-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 25V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.