Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ5435E-AU_R2_006A1
PJQ5435E-AU_R2_006A1

PJQ5435E-AU_R2_006A1 Panjit International Inc.

PJQ5435E-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+66.43 грн
100+60.86 грн
500+53.22 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5435E-AU_R2_006A1 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5435E-AU_R2_006A1 за ціною від 22.68 грн до 82.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5435E-AU_R2_006A1 PJQ5435E-AU_R2_006A1 Виробник : Panjit PJQ5435E_AU-3239197.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.97 грн
10+76.89 грн
100+61.28 грн
500+57.10 грн
1000+53.21 грн
3000+23.04 грн
6000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5435E-AU_R2_006A1 PJQ5435E-AU_R2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5435E-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.