PJQ5466A1_R2_00001 Panjit International Inc.


PJQ5466A1.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.29 грн
10+42.91 грн
100+27.93 грн
500+20.17 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5466A1_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJQ5466A1_R2_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5466A1.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1_R2_00001 Panjit PJQ5466A1-1867820.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1-R2-00001 PJQ5466A1-R2-00001 Panjit MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1-1867820.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1-R2-00001
Виробник: Panjit
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.