на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.95 грн |
| 10+ | 61.02 грн |
| 100+ | 36.18 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| 1000+ | 25.76 грн |
| 3000+ | 23.26 грн |
| 6000+ | 21.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ5534-AU_R2_002A1 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 39A, On-state resistance: 9.3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 11.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 156A, Mounting: SMD, Case: DFN5060-8, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJQ5534-AU_R2_002A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 11.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 156A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
|
|
PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
|
| PJQ5534-AU-R2-002A1 | Виробник : Panjit | Array |
товару немає в наявності |
||
| PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 11.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 156A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 |
товару немає в наявності |