
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 68.14 грн |
10+ | 59.44 грн |
100+ | 35.24 грн |
500+ | 29.51 грн |
1000+ | 25.05 грн |
3000+ | 22.71 грн |
6000+ | 21.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ5534-AU_R2_002A1 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 9.5nC, On-state resistance: 9.3mΩ, Power dissipation: 11.5W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 39A, Pulsed drain current: 156A, Case: DFN5060-8, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJQ5534-AU_R2_002A1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 9.3mΩ Power dissipation: 11.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Case: DFN5060-8 Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
|
PJQ5534-AU-R2-002A1 | Виробник : Panjit | Array |
товару немає в наявності |
||
PJQ5534-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC On-state resistance: 9.3mΩ Power dissipation: 11.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Case: DFN5060-8 Application: automotive industry |
товару немає в наявності |