на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.25 грн |
| 10+ | 95.49 грн |
| 100+ | 66.09 грн |
| 250+ | 60.65 грн |
| 500+ | 55.07 грн |
| 1000+ | 49.89 грн |
| 3000+ | 43.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJQ5542V-AU_R2_002A1 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 544A; 100W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 100W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 43nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 544A, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 136A, On-state resistance: 3.6mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJQ5542V-AU_R2_002A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJQ5542V-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 544A; 100W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 544A Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A On-state resistance: 3.6mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
PJQ5542V-AU_R2_002A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 544A; 100W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 544A Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A On-state resistance: 3.6mΩ |
товар відсутній |