Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJQ5544-AU_R2_002A1
PJQ5544-AU_R2_002A1

PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor

PJQ5544-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+112.13 грн
10+66.71 грн
100+52.15 грн
250+43.76 грн
500+39.45 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5544-AU_R2_002A1 за ціною від 44.77 грн до 132.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5544-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.92 грн
10+86.62 грн
100+61.27 грн
500+48.71 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 Panjit PJQ5544_AU.pdf MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.92 грн
10+86.62 грн
100+61.27 грн
500+48.71 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544_AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: Panjit
MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.