Продукція > PANJIT > PJQ5546V-AU_R2_002A1
PJQ5546V-AU_R2_002A1

PJQ5546V-AU_R2_002A1 Panjit

PJQ5546V_AU.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.63 грн
10+65.71 грн
100+39.83 грн
500+34.93 грн
1000+34.16 грн
3000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5546V-AU_R2_002A1 Panjit

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5546V-AU_R2_002A1 за ціною від 33.19 грн до 102.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5546V-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.45 грн
10+65.99 грн
100+46.01 грн
500+36.30 грн
1000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5546V-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ5546V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.