Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJQ5839E-AU_R2_002A1
PJQ5839E-AU_R2_002A1

PJQ5839E-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

PJQ5839E-AU
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5839E-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060B-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5839E-AU_R2_002A1 за ціною від 21.28 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJQ5839E-AU_R2_002A1 PJQ5839E-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5839E-AU Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+49.18 грн
100+32.27 грн
500+23.48 грн
1000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1 PJQ5839E-AU_R2_002A1 Panjit PJQ5839E_AU.pdf MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1 PJQ5839E-AU
PJQ5839E-AU_R2_002A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.37 грн
10+49.18 грн
100+32.27 грн
500+23.48 грн
1000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1 PJQ5839E_AU.pdf
PJQ5839E-AU_R2_002A1
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.