Продукція > PANJIT > PJQ5839E-AU_R2_002A1
PJQ5839E-AU_R2_002A1

PJQ5839E-AU_R2_002A1 Panjit

PJQ5839E_AU-3326423.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.13 грн
10+95.37 грн
100+58.42 грн
500+47.70 грн
1000+44.18 грн
3000+42.71 грн
6000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5839E-AU_R2_002A1 Panjit

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060B-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5839E-AU_R2_002A1 за ціною від 46.62 грн до 161.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5839E-AU_R2_002A1 PJQ5839E-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5839E-AU Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.95 грн
10+99.84 грн
100+67.85 грн
500+50.78 грн
1000+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5839E-AU_R2_002A1 PJQ5839E-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5839E-AU Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.