PJQ5948V-AU_R2_002A1

PJQ5948V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.


PJQ5948V-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5948V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN5060B-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5948V-AU_R2_002A1 за ціною від 32.00 грн до 112.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5948V-AU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+68.65 грн
100+53.35 грн
500+42.44 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU_R2_002A1 Виробник : Panjit PJQ5948V_AU-3162129.pdf MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.17 грн
10+75.79 грн
100+46.31 грн
500+37.43 грн
1000+34.57 грн
3000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf PJQ5948V-AU-R2 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.