PJS6403_S1_00001 Panjit International Inc.
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.02 грн |
| 12+ | 28.00 грн |
| 100+ | 19.09 грн |
| 500+ | 13.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6403_S1_00001 Panjit International Inc.
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -46A; 2W; SOT23-6, Case: SOT23-6, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain current: -6.4A, Pulsed drain current: -46A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 7.8nC, On-state resistance: 46mΩ, Power dissipation: 2W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції PJS6403_S1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJS6403_S1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. | Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
товару немає в наявності |
|
 |
PJS6403_S1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -46A; 2W; SOT23-6 Case: SOT23-6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -6.4A Pulsed drain current: -46A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 46mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |