Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJS6412_S1_00001
PJS6412_S1_00001

PJS6412_S1_00001 Panjit International Inc.

PJS6412.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.38 грн
12+28.37 грн
100+18.18 грн
500+12.90 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6412_S1_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJS6412_S1_00001 за ціною від 7.19 грн до 48.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJS6412_S1_00001 PJS6412_S1_00001 Виробник : Panjit 877358F05A114DB3C75A9FD160E1F53DCB1C8CF91BE94212EB0CB348CE58D0A6.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.91 грн
13+29.85 грн
100+16.61 грн
500+12.54 грн
1000+11.10 грн
3000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001 PJS6412_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6412.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.