Продукція > PANJIT > PJS6412_S1_00001
PJS6412_S1_00001

PJS6412_S1_00001 Panjit

877358F05A114DB3C75A9FD160E1F53DCB1C8CF91BE94212EB0CB348CE58D0A6.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.78 грн
17+19.67 грн
100+10.85 грн
500+8.14 грн
1000+7.23 грн
3000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6412_S1_00001 Panjit

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJS6412_S1_00001 за ціною від 10.47 грн до 43.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJS6412_S1_00001 PJS6412_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6412.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.81 грн
12+25.69 грн
100+16.46 грн
500+11.68 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001 Виробник : PANJIT PJS6412.pdf MOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M SOT-23-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001 PJS6412_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6412.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.