Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJS6417_S1_00001
PJS6417_S1_00001

PJS6417_S1_00001 Panjit International Inc.

PJS6417.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6417_S1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJS6417_S1_00001 за ціною від 8.31 грн до 32.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJS6417_S1_00001 PJS6417_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6417.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
12+25.67 грн
100+17.82 грн
500+13.06 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6417_S1_00001 PJS6417_S1_00001 Виробник : Panjit PJS6417-1871249.pdf MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.70 грн
13+27.83 грн
100+16.85 грн
500+13.17 грн
1000+10.67 грн
3000+9.05 грн
9000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6417-S1-00001 PJS6417-S1-00001 Виробник : Panjit PJS6417-1871249.pdf MOSFET SOT-23 6L-1/MOS/NFET-20TLMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.