
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 27.23 грн |
22+ | 17.63 грн |
100+ | 14.02 грн |
117+ | 7.89 грн |
320+ | 7.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJS6421_S1_00001 за ціною від 7.14 грн до 36.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJS6421_S1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A Pulsed drain current: -29.6A Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJS6421_S1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJS6421_S1_00001 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 36254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PJS6421_S1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PJS6421-S1-00001 | Виробник : Panjit |
![]() |
товару немає в наявності |