Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJS6421_S1_00001
PJS6421_S1_00001

PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor

PJS6421.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -29.6A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.4A
Pulsed drain current: -29.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
19+22.43 грн
100+14.81 грн
500+10.84 грн
1000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJS6421_S1_00001 за ціною від 10.23 грн до 35.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJS6421_S1_00001 PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6421.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
12+26.28 грн
100+16.97 грн
500+12.60 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421_S1_00001 Panjit EF00D1C62310DCF2A68EDB4BF125F15673B7A3E523830376F014575B80148EB1.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 28007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
PJS6421_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
12+26.28 грн
100+16.97 грн
500+12.60 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 EF00D1C62310DCF2A68EDB4BF125F15673B7A3E523830376F014575B80148EB1.pdf
PJS6421_S1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 28007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.