PJS6421_S1_00001

PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc.


PJS6421.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.20 грн
12+25.99 грн
100+16.78 грн
500+12.45 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJS6421_S1_00001 за ціною від 5.91 грн до 38.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJS6421_S1_00001 PJS6421_S1_00001 Виробник : Panjit EF00D1C62310DCF2A68EDB4BF125F15673B7A3E523830376F014575B80148EB1.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 29501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
14+23.19 грн
100+12.87 грн
500+9.67 грн
1000+8.69 грн
3000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6421.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-S1-00001 PJS6421-S1-00001 Виробник : Panjit PJS6421-1871397.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.