Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001

PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor


Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6/5.4nC
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
24+18.12 грн
100+13.80 грн
250+12.27 грн
500+11.26 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 4.1/-3.1A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95/190mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 4.6/5.4nC.

Інші пропозиції PJS6601_S1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 Panjit 456AD117B5AC883BF997DDAF2DC8205EA8165F976435EC2367E77F8CAB0D56A1.pdf MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 456AD117B5AC883BF997DDAF2DC8205EA8165F976435EC2367E77F8CAB0D56A1.pdf
PJS6601_S1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.