PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 27.74 грн |
| 24+ | 17.78 грн |
| 100+ | 13.54 грн |
| 250+ | 12.05 грн |
| 500+ | 11.05 грн |
| 1000+ | 10.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 4.1/-3.1A, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 4.6/5.4nC, On-state resistance: 95/190mΩ, Power dissipation: 1.25W.
Інші пропозиції PJS6601_S1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJS6601_S1_00001 | Panjit |
 MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 4259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PJS6601_S1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.12 грн |
| 12+ | 28.50 грн |
| 100+ | 15.88 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
| 1000+ | 11.11 грн |
| 3000+ | 9.39 грн |
| 6000+ | 8.63 грн |