PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 4.6/5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.1/-3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 27.74 грн |
| 24+ | 17.78 грн |
| 100+ | 13.54 грн |
| 250+ | 12.05 грн |
| 500+ | 11.05 грн |
| 1000+ | 10.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W, Case: SOT23-6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1.25W, Gate charge: 4.6/5.4nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 4.1/-3.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20/-20V, Type of transistor: N/P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 95/190mΩ.
Інші пропозиції PJS6601_S1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJS6601_S1_00001 | Panjit |
 MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 4259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJS6601_S1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)