Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJS6816_S1_00001
PJS6816_S1_00001

PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc.

PJS6816.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
13+25.06 грн
100+17.39 грн
500+12.74 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6.

Інші пропозиції PJS6816_S1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJS6816_S1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJS6816.pdf PJS6816-S1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJS6816.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Виробник : Panjit PJS6816-1871373.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816-S1-00001 Виробник : Panjit MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.