Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJS6839_S1_00001
PJS6839_S1_00001

PJS6839_S1_00001 Panjit International Inc.

PJS6839.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJS6839_S1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.3A SOT23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-6.

Інші пропозиції PJS6839_S1_00001 за ціною від 6.68 грн до 29.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6839.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 5287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.18 грн
18+16.93 грн
100+10.72 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839_S1_00001 Panjit PJS6839-1871443.pdf MOSFETs 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 14859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
PJS6839_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 5287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.18 грн
18+16.93 грн
100+10.72 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839-1871443.pdf
PJS6839_S1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 14859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.