PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.43 грн |
65+ | 5.34 грн |
100+ | 4.8 грн |
205+ | 3.93 грн |
560+ | 3.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.36A, Pulsed drain current: 1.2A, Power dissipation: 236mW, Case: SOT363, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції PJT138K-AU_R1_000A1 за ціною від 4.28 грн до 30.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PJT138K-AU_R1_000A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.36A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 236mW Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJT138K-AU_R1_000A1 | Виробник : Panjit | MOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJT138K-AU_R1_000A1 | Виробник : Panjit International Inc. | Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PJT138K-AU_R1_000A1 | Виробник : Panjit International Inc. | Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
товар відсутній |