Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1

PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor

Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.78 грн
40+9.99 грн
100+6.00 грн
500+4.36 грн
1000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW, Mounting: SMD, Case: SOT363, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1nC, Power dissipation: 0.236W, Drain current: 0.36A, Pulsed drain current: 1.2A, On-state resistance: 4.5Ω, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 50V, Application: automotive industry, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PJT138K-AU_R1_000A1 за ціною від 3.02 грн до 21.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit D21571D94A0856FC941E34598C470D72F72B07C7D9E7F4797E4B65CA24783C6E.pdf MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 12318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.23 грн
28+12.85 грн
100+6.95 грн
500+5.13 грн
1000+4.53 грн
3000+3.25 грн
9000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.34 грн
24+12.44 грн
100+7.20 грн
500+5.23 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.