PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.236W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 18.79 грн |
| 40+ | 10.55 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 500+ | 4.60 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 50V, Drain current: 0.36A, Pulsed drain current: 1.2A, Power dissipation: 0.236W, Case: SOT363, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Інші пропозиції PJT138K-AU_R1_000A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJT138K-AU_R1_000A1 | Panjit |
 MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 12318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJT138K-AU_R1_000A1 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 12318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)