Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT138K_R1_00001
PJT138K_R1_00001

PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT138K.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 236mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції PJT138K_R1_00001 за ціною від 3.78 грн до 10.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJT138K_R1_00001 PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.75 грн
41+7.32 грн
100+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K_R1_00001 Panjit 4641373132413830374232414534304146363336304330434443424139443334.pdf MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 29491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K.pdf
PJT138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.75 грн
41+7.32 грн
100+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 4641373132413830374232414534304146363336304330434443424139443334.pdf
PJT138K_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 29491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.