Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7600_R1_00001
PJT7600_R1_00001

PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7600.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.62 грн
6000+8.88 грн
9000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції PJT7600_R1_00001 за ціною від 5.19 грн до 47.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJT7600.pdf Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
12+26.65 грн
100+15.98 грн
500+13.88 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Case: SOT363
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.79 грн
17+23.50 грн
100+15.01 грн
169+5.50 грн
463+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 Виробник : Panjit 1C7A12FFECC9DB1FD59F00DF723F70D274DEC02EB11C6FC02B2C9F90CCA335F0.pdf MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.22 грн
13+28.20 грн
100+15.70 грн
500+11.85 грн
1000+10.49 грн
3000+8.83 грн
6000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.74 грн
11+29.29 грн
100+18.02 грн
169+6.60 грн
463+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 Виробник : PanJit PJT7600.pdf PJT7600_R1_00001
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600-R1-00001 PJT7600-R1-00001 Виробник : Panjit PJT7600-1869007.pdf MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.