PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| 6000+ | 8.55 грн |
| 9000+ | 7.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції PJT7600_R1_00001 за ціною від 7.55 грн до 42.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJT7600_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SOT363 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.6/2.2nC Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 400/600mΩ Drain current: 1A/-700mA Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20/-20V |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJT7600_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 13124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJT7600_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 3484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PJT7600_R1_00001 | Виробник : PanJit |
PJT7600_R1_00001 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PJT7600-R1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP |
товару немає в наявності |