Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7601_R1_00001
PJT7601_R1_00001

PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7601
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.97 грн
6000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 350mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel Complementary, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJT7601_R1_00001 за ціною від 7.65 грн до 47.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT7601_R1_00001 PJT7601_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJT7601 Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
на замовлення 8421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.73 грн
13+24.33 грн
100+16.92 грн
500+12.40 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601_R1_00001 PJT7601_R1_00001 Виробник : Panjit F72DCD7245CDAC22D8ED214102D15C9AAF4CB79FBB335F24D6FF291DE9EA6132.pdf MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.46 грн
12+28.71 грн
100+15.16 грн
500+11.68 грн
1000+10.50 грн
3000+8.21 грн
6000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601-R1-00001 PJT7601-R1-00001 Виробник : Panjit PJT7601-1869179.pdf MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.