PJT7601_R1_00001

PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc.


Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції PJT7601_R1_00001 за ціною від 7.79 грн до 29.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJT7601_R1_00001 PJT7601_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.09 грн
13+ 22.96 грн
100+ 15.98 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJT7601_R1_00001 PJT7601_R1_00001 Виробник : Panjit PJT7601-1869179.pdf MOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.6 грн
13+ 24.97 грн
100+ 16.32 грн
500+ 12.79 грн
1000+ 10.19 грн
3000+ 8.59 грн
9000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJT7601-R1-00001 PJT7601-R1-00001 Виробник : Panjit PJT7601-1869179.pdf MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
товар відсутній