Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7601_R1_00001
PJT7601_R1_00001

PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7601 Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.28 грн
6000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції PJT7601_R1_00001 за ціною від 8.50 грн до 41.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT7601_R1_00001 PJT7601_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJT7601 Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 8421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.66 грн
13+25.10 грн
100+17.45 грн
500+12.79 грн
1000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601_R1_00001 PJT7601_R1_00001 Виробник : Panjit PJT7601-1869179.pdf MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.34 грн
13+27.62 грн
100+16.34 грн
500+12.76 грн
1000+11.64 грн
3000+9.25 грн
9000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7601-R1-00001 PJT7601-R1-00001 Виробник : Panjit PJT7601-1869179.pdf MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.