Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7603_R1_00001
PJT7603_R1_00001

PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7603.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.94 грн
6000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції PJT7603_R1_00001 за ціною від 4.98 грн до 33.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJT7603.pdf Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.83 грн
17+18.71 грн
100+8.91 грн
500+7.46 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 Виробник : Panjit PJT7603-1869090.pdf MOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.28 грн
18+20.13 грн
100+8.38 грн
500+7.47 грн
1000+7.02 грн
3000+5.28 грн
6000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.40 грн
204+5.43 грн
559+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603-R1-00001 PJT7603-R1-00001 Виробник : Panjit PJT7603-1869090.pdf MOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.