Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7603_R1_00001
PJT7603_R1_00001

PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7603.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.64 грн
6000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції PJT7603_R1_00001 за ціною від 4.66 грн до 30.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Gate charge: 0.95/1.1nC
On-state resistance: 2.5/6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
35+11.86 грн
100+6.53 грн
500+5.01 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7603.pdf Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
17+17.76 грн
100+8.45 грн
500+7.08 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 Panjit C2E6AE7FDBFA07482DADC5A637FFF480717DDC713C45B638EBFCE77D1545C1FE.pdf MOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Gate charge: 0.95/1.1nC
On-state resistance: 2.5/6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
35+11.86 грн
100+6.53 грн
500+5.01 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
17+17.76 грн
100+8.45 грн
500+7.08 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 C2E6AE7FDBFA07482DADC5A637FFF480717DDC713C45B638EBFCE77D1545C1FE.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.