Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7800_R1_00001
PJT7800_R1_00001

PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7800.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.86 грн
6000+7.40 грн
9000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції PJT7800_R1_00001 за ціною від 5.20 грн до 35.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.78 грн
60+6.93 грн
100+6.35 грн
250+6.11 грн
500+5.78 грн
1000+5.28 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7800.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.48 грн
13+24.29 грн
100+12.26 грн
500+10.19 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 Panjit PJT7800-1869236.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 12960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.78 грн
60+6.93 грн
100+6.35 грн
250+6.11 грн
500+5.78 грн
1000+5.28 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.48 грн
13+24.29 грн
100+12.26 грн
500+10.19 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800-1869236.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 12960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.