PJT7801_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJT7801_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції PJT7801_R1_00001 за ціною від 4.54 грн до 36.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJT7801_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 5825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJT7801_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -2.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PJT7801_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Pulsed drain current: -2.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
PJT7801_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
товар відсутній |