PJT7801_R1_00001

PJT7801_R1_00001 Panjit International Inc.


PJT7801.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7801_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції PJT7801_R1_00001 за ціною від 6.12 грн до 36.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJT7801.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.94 грн
13+24.98 грн
100+12.60 грн
500+10.48 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.48 грн
169+6.50 грн
463+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 Виробник : Panjit PJT7801-1869166.pdf MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.