Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7802_R1_00001
PJT7802_R1_00001

PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7802.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.32 грн
13+24.18 грн
100+12.18 грн
500+10.13 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Not For New Designs.

Інші пропозиції PJT7802_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJT7802_R1_00001 PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802_R1_00001 Panjit PJT7802-1868943.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802-1868943.pdf
PJT7802_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.