Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7808_R1_00001
PJT7808_R1_00001

PJT7808_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7808.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7808_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції PJT7808_R1_00001 за ціною від 7.26 грн до 37.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJT7808_R1_00001 PJT7808_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7808.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.72 грн
12+26.91 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808_R1_00001 Panjit PJT7808-1869254.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808.pdf
PJT7808_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.72 грн
12+26.91 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808-1869254.pdf
PJT7808_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.