Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7838_R1_00001
PJT7838_R1_00001

PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7838.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Power - Max: 350mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V.

Інші пропозиції PJT7838_R1_00001 за ціною від 5.89 грн до 39.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
53+7.88 грн
100+7.30 грн
500+6.96 грн
1000+6.55 грн
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838.pdf Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
11+28.36 грн
100+17.69 грн
500+11.36 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 Panjit PJT7838.pdf MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.71 грн
53+7.88 грн
100+7.30 грн
500+6.96 грн
1000+6.55 грн
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.52 грн
11+28.36 грн
100+17.69 грн
500+11.36 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.