Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJT7872B_R1_00001
PJT7872B_R1_00001

PJT7872B_R1_00001 Panjit International Inc.

PJT7872B.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.42 грн
23+13.31 грн
100+8.93 грн
500+6.45 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJT7872B_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 350mW (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції PJT7872B_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PJT7872B_R1_00001 PJT7872B_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7872B.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R1_00001 PJT7872B_R1_00001 Panjit PJT7872B-1869237.pdf MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R1_00001 PJT7872B.pdf
PJT7872B_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7872B_R1_00001 PJT7872B-1869237.pdf
PJT7872B_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.