Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJW3P10A_R2_00001
PJW3P10A_R2_00001

PJW3P10A_R2_00001 Panjit International Inc.

PJW3P10A.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.15 грн
5000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJW3P10A_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJW3P10A_R2_00001 за ціною від 16.32 грн до 47.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A_R2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJW3P10A.pdf Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 8837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+39.45 грн
100+27.41 грн
500+20.08 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf PJW3P10A-R2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.