PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Application: automotive industry
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 3.1W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 46.88 грн |
| 15+ | 28.71 грн |
| 100+ | 18.33 грн |
| 250+ | 15.40 грн |
| 500+ | 13.73 грн |
| 1000+ | 12.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -4A, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: -16A, Application: automotive industry, Gate charge: 10nC, On-state resistance: 0.13Ω, Power dissipation: 3.1W.
Інші пропозиції PJW4P06A-AU_R2_007A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJW4P06A-AU_R2_007A1 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |