Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJW4P06A-AU_R2_007A1
PJW4P06A-AU_R2_007A1

PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor

PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Application: automotive industry
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 5624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+47.07 грн
15+28.83 грн
100+18.41 грн
250+15.47 грн
500+13.78 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -4A, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: -16A, Application: automotive industry, Gate charge: 10nC, On-state resistance: 0.13Ω, Power dissipation: 3.1W.

Інші пропозиції PJW4P06A-AU_R2_007A1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PJW4P06A-AU_R2_007A1 PJW4P06A-AU_R2_007A1 Panjit 1F18091BADF999360ECEEBE888B6E2CF8E8C9862E8EDB94D32562033DD3A51DE.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1 1F18091BADF999360ECEEBE888B6E2CF8E8C9862E8EDB94D32562033DD3A51DE.pdf
PJW4P06A-AU_R2_007A1
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.