PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 51.55 грн |
| 14+ | 31.69 грн |
| 100+ | 20.30 грн |
| 250+ | 17.00 грн |
| 500+ | 15.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -4A, Power dissipation: 3.1W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: -16A, Gate charge: 10nC.
Інші пропозиції PJW4P06A-AU_R2_007A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJW4P06A-AU_R2_007A1 | Panjit |
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PJW4P06A-AU_R2_007A1 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.